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東芝とサンディスク、フラッシュメモリの新製造棟建設に合意


 東芝とサンディスクは5日、NAND型フラッシュメモリの生産能力を増強するため、東芝四日市工場内に300mmウェハ対応の製造棟を新たに建設することで合意したと発表した。

 新棟は8月に着工を予定しており、2007年第4四半期(10~12月)の量産開始を目指すとしている。建物の建設は東芝が担当し、製造設備は両社が共同で導入する。

 東芝四日市工場は、東芝グループにおけるメモリ生産の拠点。今回建設が決まった新棟は2005年7月から稼動している300mmウェハ対応の第3製造棟と同等の規模になる予定。今回の合意について両社は、「2008年以降にフラッシュメモリの更なる需要拡大が見込まれるため、第3製造棟に加えて早期に新製造棟を建設することが不可欠と判断した」としている。

 NAND型フラッシュメモリは、デジタルカメラや携帯電話のメモリカード、USBメモリ、携帯音楽プレーヤーなどに使用されている。



URL
  東芝
  http://www.toshiba.co.jp/
  サンディスク
  http://www.sandisk.co.jp/
  ニュースリリース
  http://www.toshiba.co.jp/about/press/2006_04/pr_j0501.htm

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東芝、フラッシュメモリの生産能力を増強(2006/02/09)


( 本誌:武石 修 )
2006/04/05 19:24
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