米Spansion、高速かつ大容量の新型フラッシュメモリ

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米Spansion、高速かつ大容量の新型フラッシュメモリ

　米AMDと富士通の合弁によるフラッシュメモリ専業企業である米Spansionは8日(現地時間)、高速大容量のORNAND型フラッシュメモリを2007年に実現すると発表した。

　ORNAND型フラッシュメモリは、NOR型とNAND型の両フラッシュメモリの長所を持ったアーキテクチャ。同社が手がけてきたNOR型はランダムアクセスが速いが大容量化が難しいという特徴を持ち、主にプログラム格納用途で使用されてきた。東芝などが手がけるNAND型はデータの書き換えが高速で大容量化しやすく、デジタルカメラなどのデータ格納用として使用されてきた。ORNAND型はNOR型をベースとしてMirrorBit技術により大容量化を図り、高速かつ大容量なデータ格納用フラッシュメモリを目指す。

　同社のロードマップでは、まず、MirrorBit技術により1Gbitとした90nmプロセスのNOR型フラッシュメモリを、2005年の早期にサンプル出荷。2007年には8Gbitまで拡大する。ORNAND型製品は2005年中の実現を予定。やはり2007年までに8Gbitまで容量を拡大する。ORNAND型製品は書き込み速度がNAND製品の4倍になり、従来どおり高速なランダムアクセス性能と高信頼性を兼ね備えるとしている。

■ ＵＲＬ
　 Spansion
　 http://flash.iqnet.co.jp/index.html
　ニュースリリース(英文)
　 http://www.amd.com/us-en/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~91846,00.html

（田中真一郎）
2004/11/10 15:08

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