米IBMとシャープから、フラッシュメモリ後継技術の発表相次ぐ

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米IBMとシャープから、フラッシュメモリ後継技術の発表相次ぐ

　米IBMとシャープから、フラッシュメモリの後継となるメモリ技術について、相次いで発表された。

　どちらの技術も、電源を切っても記憶内容が失われないメモリである「不揮発メモリ」と呼ばれるもの。デジタルカメラやデジタル音楽プレーヤーの記録媒体として使われているフラッシュメモリの後継技術と目されている。

　米IBMが11日(現地時間)に発表したのは「phase-change(相変化)メモリ」と呼ばれる技術で、同社とMacronix、Qimondaの3社が2005年から共同で開発しているもの。メモリを構成する材料のアモルファス化/結晶化の状態変化により、データを記録する。

　今回の発表では、新材料を採用したことにより、フラッシュメモリの500倍の速度での書き込みに成功した。要した電力はフラッシュメモリの半分としている。

　シャープが12日に発表したのは、「Resistance RAM(レジスタンスRAM)」。同社が2002年に発表し、産業技術総合研究所と共同で研究してきたもので、金属酸化膜の電気抵抗変化により、データを記録する。やはり消費電力が低く、高速なデータの書き換えが可能としている。

　今回の発表では、抵抗変化部分以外の抵抗成分を制御する「高速ユニポーラスイッチ方式」を開発。これにより回路構成を単純化してよりメモリセルのサイズを小さくできるほか、既存のメモリの生産設備を流用可能とした。

　どちらの技術も、11日(現地時間)より米国で開催されるデバイスの国際会議「IEDM(International Electron Device Meeting)」で発表される。

■ ＵＲＬ
　 IBM(英文)
　 http://www.ibm.com/
　 IBMのニュースリリース(英文)
　 http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/20744.wss
　シャープ
　 http://www.sharp.co.jp/
　シャープのニュースリリース
　 http://www.sharp.co.jp/corporate/news/061211-a.html

（本誌：田中真一郎）
2006/12/12 14:29

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