Samsung、70nmプロセスの4Gbit NANDフラッシュメモリを量産開始

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Samsung、70nmプロセスの4Gbit NANDフラッシュメモリを量産開始

　韓国Samsung Electronicsは30日、70nmプロセスによる4Gbit NAND型フラッシュメモリを生産開始すると発表した。70nmプロセスでのNANDフラッシュメモリの生産は東芝の四日市工場(8Gbit)に続く発表となる。

　書き込み速度は16MB/sec。90nm 2Gbitより50%高速とし、HD映像のリアルタイム処理が可能になるとしている。また、70nmプロセスルールを利用することで、セルサイズを業界最小の0.025平方umにできるという。

　また、同社は第14ラインにおいて、初の300mmウエハラインの完成を1カ月早めると発表した。月産4,000枚から徐々に処理数を増加させ、2005年末には15,000ウエハに高める。第14ラインでは、70nm 4Gbit NANDフラッシュメモリと90nm 2Gbit NANDフラッシュメモリを生産する。

　調査会社のGartner Dataquestでは、今年のNANDフラッシュメモリ市場規模80億ドルのうち、4Gbit NANDフラッシュメモリが30%を占めると予測している。

■ ＵＲＬ
　 Samsung(英文)
　 http://www.samsung.com/
　ニュースリリース(英文)
　 http://www.samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20050530_0000126356
　【2月8日】東芝とSanDisk、70nmプロセスの8Gbitフラッシュメモリ(PC)
　 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0208/toshiba.htm

（折本幸治）
2005/05/31 15:34

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