インテル、デジカメなど組み込み機器向けのフラッシュメモリ

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インテル、デジカメなど組み込み機器向けのフラッシュメモリ

　インテル株式会社は7日、組み込み機器向けの多値セル型フラッシュメモリ「StrataFlash エンベッデッド・メモリ」を発表した。出荷予定時期は、メモリ容量64Mbitから512Mbitが2005年第2四半期、1Gbitが2005年後半。

　組み込み機器への搭載を見込んだNOR型のフラッシュメモリで、1セルあたり2bitのデータを格納できる多値セル技術を採用。高容量と高密度が求められるデジタルカメラ、家電製品、ネットワークルータ/スイッチ、携帯機器に適するとしている。

　モビリティ事業本部副社長兼フラッシュ製品事業部長のダリン・ビラーベック氏は「当社の多値セル技術は第4世代目となり、組み込み機器メーカーに高い費用対効果を提供してきた。さらに今回の製品は、現在のインテル製品としてbitあたりのコストが最も低い」と説明している。

■ ＵＲＬ
　インテル
　 http://www.intel.co.jp/
　【'97年9月17日】インテル、従来製品と同サイズで2倍の記憶容量をもつ新型フラッシュメモリ(PC)
　 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/article/970917/intel.htm

（折本幸治）
2005/04/07 16:24

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