サムスン、20nmプロセスのNANDフラッシュメモリーを開発


20nmプロセスのNANDフラッシュメモリー

 サムスンは19日、業界初という20nmプロセスのNANDフラッシュメモリーを量産すると発表した。SDメモリーカードやスマートフォンに向ける。2010年後半にサンプル出荷を開始する。

 量産するのは、32GbitのMLC(マルチレベルセル)NANDフラッシュメモリー。読み出し20MB/秒、書き込み10MB/秒を実現したとする。スピードクラスは、Class10に対応する。最新のプロセス設計とコントローラー技術を用いることで、従来の30nmプロセス品に相当する信頼性を持つとしている。今回の20nmプロセス品を用いたメモリーカードは、容量4~64GBの製品になるという。

 同社の20nmプロセスによるNANDフラッシュメモリー(MLC)は、30nmプロセス品(MLC)に比べて50%程度生産性が高いとしている。

 サムスンは2009年3月に、30nmプロセスによるNANDフラッシュメモリーの生産を開始していた。


(本誌:武石修)

2010/4/20 13:26