サムスン、20nmプロセスのNANDフラッシュメモリーを開発

20nmプロセスのNANDフラッシュメモリー

　サムスンは19日、業界初という20nmプロセスのNANDフラッシュメモリーを量産すると発表した。SDメモリーカードやスマートフォンに向ける。2010年後半にサンプル出荷を開始する。

　量産するのは、32GbitのMLC（マルチレベルセル）NANDフラッシュメモリー。読み出し20MB/秒、書き込み10MB/秒を実現したとする。スピードクラスは、Class10に対応する。最新のプロセス設計とコントローラー技術を用いることで、従来の30nmプロセス品に相当する信頼性を持つとしている。今回の20nmプロセス品を用いたメモリーカードは、容量4～64GBの製品になるという。

　同社の20nmプロセスによるNANDフラッシュメモリー（MLC）は、30nmプロセス品（MLC）に比べて50％程度生産性が高いとしている。

　サムスンは2009年3月に、30nmプロセスによるNANDフラッシュメモリーの生産を開始していた。