ソニーの積層型CMOSセンサー開発に紫綬褒章

ソニーは4月28日、令和2年春の褒章において紫綬褒章を受けることが決まったと発表した。積層型多機能CMOSイメージセンサー構造の開発により半導体産業の活性化に貢献したことが理由。

紫綬褒章は、科学技術分野における発明・発見、学術およびスポーツ・芸術文化分野における優れた業績を挙げた人物が対象。積層型多機能CMOSイメージセンサーを搭載したスマートフォンなどの製品を通じ、国民の利便性を向上させ、日本の半導体産業を活性化させた業績が高く評価されたという。受章者はソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 第1研究部門 7部 統括部長の梅林拓氏。

積層型CMOSセンサーは、従来の裏面照射型CMOSセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型の画素部分を重ね合わせた構造。小さなチップサイズで大規模な回路を搭載できる点や、画素部分と回路部分をそれぞれに特化したプロセスで製造できることから、小型化・高画質化・高機能化を同時に実現できるとしている。

イメージ図：従来の裏面照射型CMOSイメージセンサー（左）と積層型CMOSイメージセンサー（右）の構造比較
※記事初出時、誤って左右に同じイメージ図を掲載していたため修正しました（13:35追記）

同開発は平成28年度の全国発明表彰で内閣総理大臣賞を受賞し、発明協会推薦により平成30年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞（開発部門）も授与されている。発明協会からは今回の紫綬褒章への推薦も受けたという。