裏面照射CMOSイメージセンサーの仕組み表面照射型は、フォトダイオードより上に配線層を配置する構造であるため、やや斜めから入射する光もフォトダイオードに届くようにするために配線層を太く自由に配置することができないが、裏面照射型は配線層はフォトダイオードの下にあり、より複雑な回路も形成可能。また、マイクロレンズのすぐ下にフォトダイオードがあるので斜めからの光にも強い
